UTBB FD-SOI晶体管总剂量辐射效应研究进展
超薄体硅与埋氧层全耗尽型绝缘体上硅（UTBB FD-SOI）是目前最为先进的SOI技术，是下一代抗辐射集成电路设计的重要方向。UTBB FD-SOI总剂量效应（TID）比平面体硅器件更为复杂，是其空间应用面临的“瓶颈问题”，本文系统报道了FBB UTBB FD-SOI器件（图1）的TID效应。
A. 超薄硅膜引入强耦合效应，导致更为突出的TID损伤
图1. FBB UTBB FD-SOI结构图 图2. NMOSFET及PMOSFET总剂量响应特性
B. 超薄BOX层存在双界面的TID效应，导致器件耦合系数改变
图3.TID对耦合强度的影响 图4. 双界面TID效应TCAD仿真 图5. 能带分析
C. 建立晶体管TID效应SPICE模型，应用于抗辐射集成电路加固设计
图6. 不同尺寸晶体管TID效应 图7. TID模型与测试对比(NMOSFET,PMOSFET)
揭示了超薄硅膜及BOX层在UTBB FD-SOI工艺引入独特总剂量效应机理，突破了UTBB FD-SOI晶体管总剂量效应模型建立技术 。相关内容发表在IEEE TNS，并被评为当年的“Feature Article”。
