主要研究领域及成就：

主要从事空间辐射环境探测技术、电子元器件辐射效应及机理研究。主持国家自然科学青年基金、联合基金(NSAF)、面上项目、中科院西部之光B类人才项目、中科院西部学者项目等，并参与973、预研基金、HGJ等多个国家重要科研项目。在国内外期刊及会议上发表论文30余篇，获中国发明专利7项。研制的高性能PMOS辐射剂量计，成功应用于 “风云”、“北斗”、“实践”等系列卫星的环境探测分系统。自主研制的集成化空间辐射剂量计，成功搭载于国内某卫星的元器件考核仪项目，在轨飞行性能状态良好，并获得该卫星轨道的辐射剂量分布数据。

主要荣誉：

1、新疆维吾尔自治区“科技进步一等奖”3项（2014年度（11/12）、2015年度（7/12）,2022（8/12））

2、自治区天山英才工程培养人选（2017年）

代表性文章：

1、Sun Jing， Guo Qi，Yu Xin，et al.Characteristics of p-i-n diodes basing on displacement damage detector， Radiation Physics and Chemistry，2017，139：11-16.

2、Jing Sun， Jing Wei Cui， Qi Wen Zheng， Enhanced Low Dose Rate Sensitivity(ELDRS) observed in 400nm Implanted Gate Oxide RADFET Sensor , The RADECS Workshop 2018 and ICREED’18. May 16-18

3、孙静，郭旗，郑齐文， 崔江维，何承发，刘海涛等.基于SOI结构的辐照传感器的辐照响应特性研究，核技术, 2019, 42(12):120510.

4、孙静，陆妩，邓伟，郭旗，余学峰，何承发.辐照温度对双极线性稳压器的辐射效应影响.，核技术，2016，39(2): 020203-1-6.

5、马函,孙静,何承发,等. 高温环境下PMOS剂量计的剂量响应研究[J]. 原子能科学技术,2021,55(12):2175-2182. DOI: 10.7538/yzk.2021.youxian.0536.

6、马函，孙静，何承发，等.质子辐照对RADFETs的γ辐照剂量响应的影响研究[J].核技术,2022,45(1):37-43. DOI: 10.11889/j.0253-3219.2022.hjs.45.010203.

7 、Lan Bo, Guo QI, Sun Jing, ea al., Dose rate effects of p-channel metal oxide semiconductor field effect transistors at various biasing conditions. Journal of Semiconductors [J]. 2010,31(5):

代表性专利：

1、一种基于SOI结构的电离总剂量探测系统及方法，ZL201611177450.3

2、基于p-i-n结构的位移损伤剂量探测方法，ZL201410629535.5

3、一种电子加速器及实现电子束低注量环境的方法，ZL201410210427.4

4、一种基于静态随机存储器的辐照偏置系统，ZL201410212545.9

研究领域：

 空间辐射环境探测技术及装备研究、电子元器件辐射效应与损伤机理研究